М.А. Волосова, А.С. Метель, Ю.А. Мельник
Для улучшения адгезии при магнетронном осаждении покрытий на диэлектрических подложках их бомбардируют импульсными пучками атомов газа с энергией до 25 кэВ. Атомы газа образуются при перезарядке ионов из плазмы магнетронного разряда, ускоряемых импульсами высокого напряжения на сетке, параллельной магнетронной мишени.
Ключевые слова: магнетронное осаждение, диэлектрическая подложка, синтез покрытий, высокоэнергетические атомы газа, адгезия.