Болбуков В.П.
Описано осаждение покрытий на диэлектрики с использованием источника атомов металла в смеси с быстрыми молекулами газа, образованными при перезарядке ускоренных ионов в рабочей камере. Атомы металла образуются при распылении ионами мишени на дне полого катода внутри источника. При использовании смеси аргона с азотом осаждаются со скоростью до 4 мкм/ч нитридные покрытия, непрерывно бомбардируемые молекулами с энергией, регулируемой от 10 до 300 эВ.
Ключевые слова: мишень, распыление, пар, покрытие, осаждение, быстрые молекулы.