Главное меню

Учредитель журнала

ФГБОУ ВПО Московский государственный технологический университет "СТАНКИН"

Свидетельство о регистрации ПИ № ФС77-31574 от 4 апреля 2008 г. выдано Федеральной службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия

127055, г. Москва, Вадковский пер., д.1

Тел.: (499) 972-95-30,
e-mail: vestnik@stankin.ru

ISSN 2072-3172

№4 (23), 2012. МАТЕМАТИКА И ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ

Пупышев В.В.

Моделирование протон-протонной реакции в электронном газе

В предлагаемой модели полное взаимодействие двух протонов в электронном газе считается суммой короткодействующего ядерного потенциала Рида и дальнодействующего потенциала Томаса–Ферми, порожденного кулоновским воздействием электронов на один из протонов. Показано, что в этой модели сечение протон-протонной реакции с образованием дейтрона возрастает обратно пропорционально энергии столкновения протонов в ее нулевом пределе.

Ключевые слова: потенциалы Рида и Томаса–Ферми, протон-протонная реакция.

[ Вернуться к содержанию ]
[ Получить статью ]